В рамках проекта специалисты воронежского НИИ электронной техники» создадут серию из 5 мощных импульсных СВЧ LDMOS-транзисторов, оптимизированных для работы в определенном диапазоне рабочих частот, характерном для конкретной системы авиационного бортового оборудования.
В основе – новейшая отечественная LDMOS-технология, использующая все достижения российской микроэлектроники в данной области за последние годы.
Новые транзисторы будут применяться:
- в усилителях мощности систем бортового радионавигационного оборудования воздушных судов, обеспечивающего безопасность посадки в метеорологических условиях, не обеспечивающих безопасного визуального захода на посадку;
- в усилителях мощности радиотехнической системы ближней навигации (РСБН);
- в усилителях мощности обзорных радиолокационных станций авиационного и наземного базирования;
- в усилителях мощности авиационной системы государственного опознавания;
- в усилителях мощности радиолокационных станциях S-диапазона, в том числе — метеорологических.
Кроме того, в институте ведется активная работа по созданию LDMOS- транзисторов для усилителей телевизионных сигналов, передовые характеристики создаваемых новинок позволят улучшить с их помощью параметры другой радиоаппаратуры.
LDMOS-технология является доминирующей кремниевой технологией развития СВЧ-транзисторов для сотовой связи, а также в ряде других областей. Ее популярность связана со сравнительно низкой стоимостью при довольно высоких энергетических параметрах. Она позволяет создавать приборы с выходной мощностью до нескольких киловатт на частотах до 1 ГГц и выше.
Новые транзисторы, разработанные в АО «НИИЭТ», характеризуются высокой по современным меркам удельной выходной мощностью и малыми значениями удельных емкостей. Работа по их созданию выполнялась при финансировании в рамках программы субсидирования в соответствии с постановлением Правительства РФ от 24 июля 2021 года № 1252.
